脈沖激光分子束沉積系統是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um，使靶材快速蒸發形成等離子體。對靶材的非平衡提取（燒灼）使等離子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在條件下，靶材的化學計量與沉積薄膜的保持一致。所有的固態材料如金屬、半導體和絕緣體等都可以用PED 技術沉積各自的薄膜。

? 獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統PED

? 外延薄膜沉積，多層異質結構（heterostructures）與超晶格

? 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容

? 升級選項：離子輔助PED, 連續組份沉積PED, 進樣系統load-lock

? 可附加的沉積源：脈沖激光與射頻/ 直流濺射

? 集成XPS/ARPES UHV 集群系統，原位高真空基片傳送系統